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微波助力半導體研究
當下，半導體產(chǎn)業(yè)備受關(guān)注，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。
半導體材料處于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，是半導體產(chǎn)業(yè)的基石。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多。
其中，半導體膜是由半導體材料形成的薄膜。根據(jù)制備半導體薄膜的技術(shù)不同，在結(jié)構(gòu)上可分為單晶、多晶和無定形薄膜。
探索最適合的消解參數(shù)，有利于后續(xù)對多種無機元素的快速準確測定。
實驗方案
儀器
新儀 MASTER-18 微波消解儀、趕酸器、分析天平(十萬分之一)等
試劑
硝酸(68%)，氫氟酸（40%）
實驗方法
精確稱取半導體薄膜材料50 mg（精確至0.1 mg），緩慢滴加8 mL 硝酸（劇烈反應，釋放氣體），靜置10 min 左右，待無明顯反應后，補加2 mL 氫氟酸，組裝消解罐，按照如下設置參數(shù)進行實驗：
階段 | 溫度/℃ | 時間/min | 功率/W |
1 | 150 | 10 | 400 |
2 | 180 | 5 | 400 |
3 | 210 | 45 | 400 |
實驗結(jié)束后，待冷卻至60℃以下，取出消解罐轉(zhuǎn)移至通風櫥中緩慢打開，趕酸稀釋后，樣品可完全消解至澄清透明狀態(tài)。
結(jié)果
實驗選取的半導體薄膜材料樣品，取樣為50 mg，加入硝酸靜置后，補加氫氟酸，最高實驗溫度210 ℃，保溫40 min 左右，樣品可完全消解。
注意
1、添加氫氟酸進行實驗后，需進行趕酸處理，防止氫氟酸對玻璃器皿造成腐蝕，也可能會對實驗結(jié)果造成影響。
2、添加硝酸后樣品反應劇烈，實驗過程中應緩慢加入或者分多次加入硝酸，同時實驗人員需做好防護。
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